Micron HMC : 10 fois plus rapide que la DDR3-1600, et jusqu’à 20 fois à terme !

Article écrit par Tomboss le Friday 26 August 2011 à 06:47

Début février, Micron annonçait sa nouvelle technologie de mémoire : Hybrid Memory Cube. Récemment, Micro faisait une démonstration d’un prototype de sa future « technologie DRAM » à la conférence Hot Chips.


Selon Micron, le but de cette technologie est de briser le « mur de la mémoire ». Les actuelles barrettes de mémoire vive PC3-12800, utilisant des puces DDR3-1600 sont capables d’offrir une bande passante de 12,8 Go/s, tandis qu’un seul des HMC présentés peut atteindre 128 Go/s tout en consommant 10 % de l’énergie utilisée par la DDR3.

Les caractéristiques clés du Hybrid Memory Cube sont les suivantes :

  • Bande passante accrue; un seul HMC pourra à terme fournir à lui seul des performances vingt fois supérieures au module DDR3.
  • Réduction de la consommation; le HMC est exponentiellement plus efficace que les types de mémoires actuelles en utilisant seulement un dixième de l’énergie par bit requise par la DDR3.
  • Emplacement physique occupé réduit; l’architecture empilée du HMC permet d’utiliser 90% de moins d’espace que le mémoire RDIMM.

httpvh://www.youtube.com/watch?v=kaV2nZSkw8A

La date d’arrivée sur le marché de cette technologie n’est pour l’instant pas fixée, néanmoins lors de l’annonce faite en début d’année, l’année 2015 était évoquée. Nous espérons voir cette technologie continuer son chemin, car cela permettrait de repousser les limites auxquelles font face les constructeurs actuellement dans ce domaine, de plus Micron semble très confiant et déterminer à mener ce projet jusqu’au bout !

Source : Tom’s Hardware



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